ASML & 蔡司：未来 Hyper NA EUV 光刻机主要挑战为更低的可用景深

IT之家 10 月 9 日消息，ASML（阿斯麦）与其光学系统合作伙伴 ZEISS（蔡司）在一份 10 月 1 日发布的文章中表示，数值孔径≥0.75 的 Hyper NA EUV 光刻机有望支持 5nm“半间距”的光学分辨率 ，并在 10 年左右面世。 ▲ 现有 High NA EUV 光刻机 文章分析称，延续 13.5nm 波长并提升数值孔径至 0.75 是 High NA EUV 的合理演进。 Hyper NA EUV 的技术挑战主要集中在更低的可用景深上 ，这需要更薄的光刻胶，同时改进扫描设备的聚焦控制、晶圆平整、工艺控制。 0.75 NA 的 光学系统仅会略大于现有的 High NA…