1nm 之后晶体管怎么走？泛林集团探索 SA-CFET 架构，SRAM 单元面积较 N3 缩小 52.7%

IT之家 10 月 5 日消息，随着先进制程不断向 1nm 及以下节点推进，传统 GAA 纳米片晶体管在漏电、迁移率、寄生电阻以及制造工艺波动等方面面临越来越大的挑战。 当地时间 9 月 29 日，全球前三的晶圆制造设备厂商泛林集团（Lam Research）提出一种自对准互补场效应晶体管（SA-CFET）架构，有望将 CMOS 晶体管继续推进至 10 Å（1nm）及以下。 SA-CFET 的核心在于三个自对准工艺模块：SA-BPR（自对准埋入式电源轨）、SA-CT（自对准触点）和 SA-TSV（自对准硅通孔）。该架构采用非金属栅极切割设计和中间介质隔离（MDI）来实现功函数分离，同时保持与 …