消息称三星电子首代亚 10nm 级 DRAM 内存将采用混合键合结构

IT之家 9 月 23 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道称，三星电子存储器业务近期调整了其先进内存技术的路线图， 首代亚 10nm 级 DRAM 将采用混合键合结构 。 三星电子正平行开发两种首代亚 10nm 级 DRAM 节点，计划在第 7 代 10nm 级的 1d nm 后导入。原本计划正式用于 "D0a" 工艺的是 4F² VCT 垂直通道晶体管方案，随着混合键合的 "B1b" 节点被扶正为新的 "D0a"，4F² VCT 方案的代号也随之调整为 "D0a-V"。 新版 "D0a" 节点 将在不同的晶圆上制造存储阵列和外围电路 ，此后以 W2W（晶圆对晶圆）混合键合…