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消息称长江存储计划建设第四座 NAND 工厂,国产设备占比力争达到 70%

IT之家 11 月 6 日消息,据路透社今日援引知情人士消息,中国最大的闪存芯片制造商长江存储计划在武汉建设第四座工厂,预计将生产公司内最先进的 NAND 芯片, 存储单元垂直堆叠层数将超过 300 层 。 知情人士称,长江存储计划将新工厂的国产设备采购比例设定为至少 60%, 力争达到 70% 。工厂预计将于明年动工,不过长江存储目前仅和供应商进行初步讨论,尚未正式下达订单。对比之下,长江存储第三座工厂预计于今年晚些时候投产,中国供应商提供设备占采购总量约 50% 以上。 IT之家从原报道获悉,长江存储提升国产设备采购比例,有望让北方华创、中微半导体等厂商受益。新增国产设备预计将集中在芯片生…

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